yang dimaksud TS adalah FET yang memiliki 2 gate sejajar. Gate ini ditanam bersebelahan. dan pengaruhnya pada arus drain yang lewat adalah sama besar.
Desain ini dibuat untuk dunia digital nano, sehingga keperluan transistor / FET dapat dihemat... Pembuatan FET multi gate ini adalah sesuai dengan kebutuhan, dalam proses desain chips.
Hal tentu sangat berbeda dengan Vacum Tube. Simbol G bukan berarti Gate, melainkan Grid (ind=kisi). Mungkin ada 2-3 grid, namun letaknya tidak sejajar. Karena biasanya melinkar. Biasanya G1 di dalam G2. dan G2 di dalam G3, baru setelah itu Screen dan Plate.
Kalo pertanyaannya, bisakah diganti dengan dengan 1 FET biasa ... ? mungkin bisa ... tapi keperluannya berbeda... untuk FET lepasan yang dipaai pada rangkaian linier multi gate kayaknya tidak terlalu penting.